單晶硅納米力學(xué)性能的測(cè)試主要通過?納米壓痕技術(shù)?進(jìn)行，這是一種通過在試樣表面施加逐漸增大的載荷，使試樣經(jīng)歷彈性變形、延性變形直至脆性斷裂的過程，并記錄加載-卸載曲線，從而獲取材料的硬度、彈性模量等關(guān)鍵力學(xué)參數(shù)的方法。
單晶硅納米力學(xué)性能測(cè)試機(jī)基本原理：
在單晶硅表面施加漸進(jìn)載荷，通過金剛石壓頭（如Vickers型）壓入材料表面，記錄載荷-位移曲線（加載-卸載曲線）。
壓入過程分為三個(gè)階段：彈性變形 → 塑性變形 → 脆性斷裂。通過分析曲線斜率、壓痕深度等數(shù)據(jù)，計(jì)算硬度（Hardness） 和 彈性模量（Elastic Modulus）。
單晶硅納米力學(xué)性能測(cè)試機(jī)技術(shù)參數(shù)：
1. 產(chǎn)品規(guī)格： MX-0230
2． 精度等級(jí)： 0.5級(jí)
3． 負(fù)荷：1N/5N/10N/20N/50N/100N/200N/ 500N(任選或多選）
4． 有效測(cè)力范圍：0.1/100-100;
5． 試驗(yàn)力分辨率，負(fù)荷±500000碼；內(nèi)外不分檔，且全程分辨率不變。
6. 位移分辨率：0.0001mm
7. 變形分辨率：0.0001mm
8． 有效試驗(yàn)寬度：120mm
9． 有效試驗(yàn)空間：300mm
10． 試驗(yàn)速度：0.001~300mm/min(任意調(diào))
11. 速度精度：示值的±0.5%以內(nèi)；
12．位移測(cè)量精度：示值的±0.5%以內(nèi)；
13．變形測(cè)量精度：示值的±0.5%以內(nèi)；
14．應(yīng)力控速率范圍： 0.005%～6％FS/S
15．應(yīng)力控速率精度： 速率＜0.05％FS/S時(shí)，為設(shè)定值的±1%以內(nèi)；速率≥0.05％FS/S時(shí)，為設(shè)定值的±0.5%以內(nèi)；
16．應(yīng)變控速率范圍： 0.002%～6％FS/S
17．應(yīng)變控速率精度： 速率＜0.05％FS/S時(shí)，為設(shè)定值的±2%以內(nèi)；速率≥0.05％FS/S時(shí)，為設(shè)定值的±0.5%以內(nèi)；
18. 恒力/位移/變形測(cè)量范圍：0.5％～100FS
19．恒力/位移/變形測(cè)量精度：設(shè)定值＜10％FS時(shí), 為設(shè)定值的±1%以內(nèi)； 設(shè)定值≥10％FS時(shí), 為設(shè)定值的±0.1%以內(nèi)；
20．試臺(tái)升降裝置：快/慢兩種速度控制，可點(diǎn)動(dòng)；
21．試臺(tái)安全裝置：電子限位保護(hù)
22．試臺(tái)返回：手動(dòng)可以高速度返回試驗(yàn)初始位置，自動(dòng)可在試驗(yàn)結(jié)束后自動(dòng)返回；
23．試驗(yàn)定時(shí)間自動(dòng)停車,試驗(yàn)定變形自動(dòng)停車,試驗(yàn)定負(fù)荷自動(dòng)停車
24．超載保護(hù)：超過大負(fù)荷10%時(shí)自動(dòng)保護(hù)；
25. 自動(dòng)診斷功能，定時(shí)對(duì)測(cè)量系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)進(jìn)行過載、過壓、過流、超負(fù)荷等檢查，出現(xiàn)異常情況立即進(jìn)行保護(hù)
26．電源功率： 200W
27．主機(jī)重量： 40kg
28. 電源電壓: 220V（單相）
29. 主機(jī)尺寸：430*315*855mm
0513-81526002
0513-81526001
18851312788
